Innoscience Technology, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions d'alimentation à haute performance et à faible coût au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si), a annoncé une gamme de composants HEMT discrets à faibles tensions dans un packaging FCQFN. Évalué à 40 V, 100 V et 150 V, le formatage « flip chip » le rend simple à utiliser pour les ingénieurs.
Dispositifs faciles à monter sur PCB
« Nous proposons encore tous nos dispositifs discrets dans des boîtiers à l'échelle d'une tranche, ce qui est avantageux pour certains utilisateurs de modules. Cependant, les dispositifs FCQFN sont faciles à monter sur des PCB à l'aide d'un équipement d'assemblage et des processus standards », commente Denis Marcon, directeur général d'Innoscience Europe.
Les dispositifs FCQFN de 40 V sont disponibles avec une valeur de résistance à l'état passant de 4,3 mΩ (taille de puce 3x4 mm). Les HEMT 100 V sont proposés avec des valeurs RDS(on) de 2,8 mΩ (3x5 mm) et 1,8 mΩ (4x6 mm), tandis que les modèles 150 V mesurant 4x6 mm sont disponibles avec 3,9 mΩ et 7 mΩ RDS(on).
Les modèles 40 V utilisant les derniers processus GaN d'Innoscience atteignent des performances de pointe avec les meilleures valeurs de facteur de mérite (FOM) de leur catégorie pour Qgg Ron et Idss Ron.
Faibles courants de fuite de drain et de grille
Les faibles courants de fuite de drain et de grille des composants leur permettent d'être utilisés sur les marchés mobiles et dans les applications connectées directement à la batterie. D'autres applications incluent les convertisseurs Buck-Boost USB Type C dans les ordinateurs portables. De plus, grâce à son procédé de dernière génération, Innoscience maintient un contrôle très strict de l'épitaxie, ce qui se traduit par une tension de seuil et une résistance à l'état passant très uniformes, conduisant à un rendement de tranche très élevé.
Les dispositifs 100 V conviennent à la conversion DC/DC à des niveaux de puissance allant jusqu'à 2 kW, en raison de leur très faible résistance à l'état passant. Lorsqu'il est utilisé en configuration parallèle, des niveaux de puissance allant jusqu'à 8 kW peuvent être atteints.
Applications industrielles
Le modèle 150 V cible les applications industrielles, notamment les installations solaires. Il a été conçu pour être très robuste et ne nécessite donc pas l'application du déclassement standard de 80% (c'est-à-dire qu'ils sont évalués à 100% de leur tension). Tous les nouveaux HEMT 40 V, 100 V et 150 V ont été testés et ont dépassé les normes Jedec et JEP 180 spécifiques au GaN.
Les HEMT 1,8 mΩ 100 V sont compatibles broche à broche avec les composants 3,9 mΩ et 7 mΩ 150 V car ils sont tous conditionnés en FCQFN 4x6 mm : cela permet une grande flexibilité de conception.
